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Leistungsmodule

Fahrzeugleistungsmodule und -umrichter

Rohm und Leadrive gründen Forschungslabor für SiC-Technologie

Rohm Semiconductor und Leadrive Technology, chinesischer Hersteller von Antriebssträngen für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb, eröffnen ein gemeinsames Forschungslabor für SiC-Technologie in der Shanghai.

IGBT-Module in rauen Umgebungen

Bis zu 20 Jahre Lebensdauer durch erweiterten H2S-Schutz

In rauen Umgebungen muss Leistungselektronik robust sein, einen großen Einfluss auf die...

Leistungshalbleiter

SiC gräbt weiter im Silizium-Becken

Mit einem neuen 62 mm-Siliziumkarbid-Modul will Infineon Anwendungen im mittleren...

SiC-MOSFET-Halbleiter

40 % weniger Einschaltwiderstand für Elektrofahrzeuge

SiC-MOSFETS in Elektroautos verprechen hohe Wirkungsgrade, weniger Verluste und am Ende...

HGÜ-Projekt in Deutschland

Rekordverdächtig: Prysmian mit Erdkabelsystem für Südlink

Die Prysmian Group hat sich bei den deutschen Übertragungsnetzbetreibern TransnetBW und...

Power-Designs mit stabiler Regelung

Nano-Cap-Technologie verkürzt Stückliste

Der Halbleiterhersteller Rohm kündigt eine neue Nano-Cap-Stromversorgungstechnologie...

Digitale PCIM Awards 2020

Sieger untersucht Hochvolt-SiC-Packaging bei 200°

Die Gewinner des Best Paper Award und des Young Engineer Award stehen fest. Die...

Chips für die Elektromobilität

Infineon beliefert Danfoss Silicon Power

Einen mehrjährigen Volumenvertrag haben Danfoss und Infineon Technologies geschlossen,...

Chip-Kapazität für Elektrofahrzeuge

Danfoss schließt mehrjährigen Volumenvertrag mit Infineon

Für den steigenden Marktbedarf an Leistungshalbleitern für Elektroautos hat Danfoss...

Neue 650-V-GaN-Technik für Automotive

Kleinere und bessere Galliumnitrid-FETs, ohne zusätzliche Treiber

Nexperia stellt eine neue Generation 650-V-GaN-Technik vor, mit hohem Gütefaktor, mehr...